A maior fábrica de base de carbeto de silício da China entrou oficialmente em produção, com um investimento total de 5 bilhões de yuans.

Ontem (8) o Daily News informou que um investimento de 5 bilhões de yuans, com cerca de 1000 acres de terreno para construção, transformou o Parque Industrial de Inovação em Ciência e Tecnologia Eletrônica da China (Shanxi) em uma área de demonstração de transformação de mudança de heddle em Shanxi.

O jornal People's Daily noticiou que o projeto, com duração de 5 anos, prevê a construção de um centro com três bases: a Base Industrial de Materiais de Carboneto de Silício da Ciência Elétrica da China (Shanxi), a Base Industrial de Fabricação de Equipamentos Eletrônicos Inteligentes da Ciência Elétrica da China (Shanxi), o Centro de Inovação em Tecnologia de Semicondutores de Terceira Geração da Ciência Elétrica da China (Shanxi) e a Base Industrial de Energia Fotovoltaica (FV) da Ciência Elétrica da China (Shanxi). Espera-se que o projeto gere um valor de produção de 10 bilhões de yuans.

O repórter Liu Yang, da emissora Shanxi Station, destacou em sua reportagem que esta base de produção de carbeto de silício contará com um total de 300 conjuntos de equipamentos, com produção mensal superior a cem milhões de yuans. Após a conclusão do projeto, o parque se tornará a maior base de fornecimento de materiais de carbeto de silício do país, e seus 400 hectares de área industrial conectarão mais de uma dezena de setores a montante e a jusante da indústria de transformação da zona de Shanxi, impulsionando o rápido desenvolvimento do cluster da indústria de semicondutores em Shanxi e concretizando o fornecimento totalmente autônomo de carbeto de silício na China.

Grande largura de banda proibida, tensão crítica de ruptura, alta mobilidade eletrônica e alta condutividade térmica: esses materiais semicondutores de carbeto de silício fortemente dopado com antimônio (Sb) de terceira geração são seus principais atrativos. No entanto, a preparação desse material tem sido um desafio global, e a tecnologia de cristal longo de alta estabilidade é fundamental para o seu desenvolvimento. Na China, a dependência de longa data da importação de substratos de carbeto de silício fortemente dopado com Sb, devido ao alto custo e à instabilidade no fornecimento, limita consideravelmente o desenvolvimento das indústrias nacionais relacionadas.

Li Bin, gerente geral da Shuo in Shanxi Branch Crystal Co., Ltd., afirmou: "O carboneto de silício é um material semicondutor fundamental. Originário de Shanxi, ele pode impulsionar uma cadeia industrial de 50 a 10 bilhões de yuans. Agora, todos estão se antecipando a este momento. Nosso objetivo é correr contra o tempo para aproveitar esta oportunidade, priorizando a prevenção e o controle da epidemia, bem como o retorno ao trabalho e à produção. Nosso objetivo é realmente assumir a liderança da cadeia industrial, algo que nasceu em Shanxi."

Segundo informações, desde 2007, a seção 2 do setor elétrico chinês iniciou o planejamento de desenvolvimento de substratos de carbeto de silício fortemente dopados com antimônio, dominando a tecnologia de preparação de pó de carbeto de silício de alta pureza e o processo de preparação de substratos isolantes de carbeto de silício fortemente dopados com antimônio de 4,5 polegadas de alta pureza. A partir da preparação do pó de carbeto de silício, crescimento de cristais e processamento de wafers, formou-se uma linha completa de desenvolvimento de materiais de validação epitaxial de carbeto de silício, com alta pureza e produção de wafers isolantes de alta pureza.